Interferenseffekterna av GaN och LDMOS är inkonsekventa. Kärnskillnaderna härrör från skillnaderna i effekt-tillagd effektivitet, linjäritet, frekvensegenskaper och falska undertryckningsmöjligheter, vilket resulterar i betydande skillnader i scenarioanpassningsförmåga i scenarier för radiofrekvensstörningar som motåtgärder med drönare.
Typiska interferensscenarier och anpassningsrekommendationer
Drönaremotåtgärder (fler-band, hög-frekvens, hög-effekt)
Önskad GaN: Bredbandstäckning (2,4G/5,8G/satellitnavigering), hög effektivitet som resulterar i längre kontinuerlig störningstid och optimerad linjäritet med DPD, lämplig för bärbara/fordonsmonterade enheter-.
Sekundär LDMOS: Ger renare smalbandsinterferens i låg-frekvensband som 2,4G, lämplig för fast-platsinstallation och lägre kostnad.
Kommunikationsdämpning (smalband, låga falska emissioner)
Föredragen LDMOS: Linjäritetsfördel minskar intilliggande kanalinterferens, vilket minskar risken för att övervakas och lokaliseras, lämpligt för scenarier med höga krav på efterlevnad.
Kostnad-känslig/låg-för-medelkraft
Föredragen LDMOS: Mogen teknologi, 30 %-50 % lägre kostnad, enkelt underhåll, lämplig för massdistribution av störningsnoder med låg-till medelstor effekt.
Beräkningsexempel (kvantisering av skillnaden i interferenseffekt)
Om man antar en ineffekt på 100 W, PAE: GaN 65 %, LDMOS 55 %, då:
GaN uteffekt: 100W ÷ (1-65 %) × 65 % ≈ 185,7 W
LDMOS uteffekt: 100W ÷ (1-55 %) × 55 % ≈ 122,2 W
Slutsats: Under samma ingång har GaN cirka 52 % högre störningseffekt och ett bredare täckningsområde.
Implementeringsöverväganden
GaN-system: DPD-linearisering, strikt kraft-på tidsstyrning och effektiv värmehantering är avgörande; annars kan falska/tillförlitlighetsproblem lätt påverka störningseffektiviteten.
LDMOS-system: Att använda hårda kompressionsegenskaper förenklar designen av linearisering, fokuserar på låg-frekvensoptimering, kontrollerar kostnader och värmeavledning och är lämplig för stor-installation.